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Si4816DY
Vishay Siliconix
CHANNEL-2 TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
10
1. 8
8
V DS = 15 V
I D = 9.5 A
1.6
V GS = 10 V
I D = 9.5 A
1.4
6
4
1.2
1.0
0. 8
2
0.6
0
0.4
0
6
12
1 8
24
30
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
40
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
0.05
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
I D = 9.5 A
0.04
T J = 150 °C
10
1
T J = 25 °C
0.03
0.02
0.01
0.00
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
1.4
0
2
4
6
8
10
0.6
0.4
0.2
0.0
- 0.2
- 0.4
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 250 μA
100
8 0
60
40
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
- 0.6
20
- 0. 8
- 1.0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.001
0.01
0.1
1
10
www.vishay.com
6
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
Document Number: 71121
S09-0868-Rev. G, 18-May-09
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